中国科学技术大学集成电路学院孙海定教授iGaN实验室，联合加拿大麦吉尔大学、澳大利亚国立大学、浙江大学、英国剑桥大学及武汉大学等多所高校的科研团队，成功研制出一种集成了光传感、存储和处理“三合一”多功能的光电二极管新架构，并由此构建规模化二极管阵列，开发出集感存算一体的低功耗类脑视觉相机。

团队提出了一种新的PN结能带设计策略，通过在PN结中引入电荷存储层，突破了传统二极管仅仅只有“单向导电”这单一功能的半导体物理限制。该新器件无需额外电路即可在单个器件层面实现电压可调的光传感、光突触与光存储功能，实现集“感存算一体”智能光电二极管，并以此构建了具备图像降噪与分类识别能力的高效、低功耗边缘计算视觉相机。

相关研究以“A single diode with integrated photosensing, memory and processing for neuromorphic image sensors”为题，于3月20日在线发表在国际知名期刊Nature Electronics。